IPD35N12S3L-24 - аналоги и даташиты транзистора

 

IPD35N12S3L-24 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPD35N12S3L-24
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD35N12S3L-24

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD35N12S3L-24 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:392K  infineon
 ipd35n12s3l-24.pdf pdf_icon

IPD35N12S3L-24

IPD35N12S3L-24OptiMOS-T Power-TransistorProduct Summary VDS 120 V RDS(on),max 24 mW ID 35 A Features OptiMOS - power MOSFET for automotive applicationsPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedTyp

 7.1. Size:177K  infineon
 ipd35n10s3l-26 ipd35n10s3l-26 ds 1 1.pdf pdf_icon

IPD35N12S3L-24

IPD35N10S3L-26OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 100 VDSR 26mWDS(on),maxI 35 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD35N10S3L-26 PG-TO252-3-11 3N10L26Ma

 7.2. Size:311K  inchange semiconductor
 ipd35n10s3l-26.pdf pdf_icon

IPD35N12S3L-24

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD35N10S3L-26FEATURESDrain Current I = 35A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 24m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra Low On-resistanceFast SwitchingABSOLUTE MA

 9.1. Size:1008K  infineon
 ipd350n06lg.pdf pdf_icon

IPD35N12S3L-24

% # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?>mWD n) m xP ( 381>>581>35=5>C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPC70N04S5L-4R2 , IPC90N04S5-3R6 , IPC90N04S5L-3R3 , IPD090N03LGE8177 , IPD100N04S4L-02 , IPD25DP06LM , IPD25DP06NM , IPD30N12S3L-31 , CS150N03A8 , IPD380P06NM , IPD40DP06NM , IPD50N08S4-13 , IPD50N12S3L-15 , IPD50P04P4-13 , IPD60N10S4-12 , IPD60N10S4L-12 , IPD60R145CFD7 .

History: IPD50P03P4L-11 | IPD50N06S4-09

 

 
Back to Top

 


 
.