STD2NA60-1 - описание и поиск аналогов

 

STD2NA60-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD2NA60-1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для STD2NA60-1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD2NA60-1 даташит

 ..1. Size:407K  1
std2na60 std2na60-1 std2na60t4.pdfpdf_icon

STD2NA60-1

STD2NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STD2NA60 600 V

 6.1. Size:407K  st
std2na60.pdfpdf_icon

STD2NA60-1

STD2NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STD2NA60 600 V

 8.1. Size:98K  st
std2na50.pdfpdf_icon

STD2NA60-1

STD2NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STD2NA50 500 V

 9.1. Size:174K  1
std2n50 std2n50-1 std2n50t4.pdfpdf_icon

STD2NA60-1

STD2N50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD2N50 500 V

Другие MOSFET... STD17N06LT4 , STD17N06T4 , STD1NA60-1 , STD1NA60T4 , STD20N06-1 , STD20N06T4 , STD2N50-1 , STD2N50T4 , 60N06 , STD2NA60T4 , STD3N25-1 , STD3N25T4 , STD3N30-1 , STD3N30L , STD3N30L-1 , STD3N30LT4 , STD3N30T4 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.