IPD95R450P7. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPD95R450P7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 950 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IPD95R450P7
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPD95R450P7 даташит
ipd95r450p7.pdf
IPD95R450P7 MOSFET DPAK 950V CoolMOS P7 SJ Power Device The latest 950V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 950V tab super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon s over 18 years pioneering super junction technology innovation. Features 2 1 Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and C
ipd95r1k2p7.pdf
IPD95R1K2P7 MOSFET DPAK 950V CoolMOS P7 SJ Power Device The latest 950V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 950V tab super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon s over 18 years pioneering super junction technology innovation. Features 2 1 Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and C
ipd95r750p7.pdf
IPD95R750P7 MOSFET DPAK 950V CoolMOS P7 SJ Power Device The latest 950V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 950V tab super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon s over 18 years pioneering super junction technology innovation. Features 2 1 Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and C
Другие IGBT... IPD85P04P4-07, IPD85P04P4L-06, IPD900P06NM, IPD90N08S4-05, IPD90N10S4-06, IPD90N10S4L-06, IPD90P04P4L-04, IPD95R1K2P7, 60N06, IPD95R750P7, IPDD60R050G7, IPDD60R080G7, IPDD60R125G7, IPDD60R150G7, IPF060N03LG, IPF075N03LG, IPG16N10S4-61A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor



