STD3N30LT4 - описание и поиск аналогов

 

STD3N30LT4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD3N30LT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD3N30LT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD3N30LT4 даташит

 ..1. Size:333K  1
std3n30l std3n30l-1 std3n30lt4.pdfpdf_icon

STD3N30LT4

 7.1. Size:143K  1
std3n30 std3n30-1 std3n30t4.pdfpdf_icon

STD3N30LT4

STD3N30 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD3N30 300 V

 7.2. Size:143K  st
std3n30.pdfpdf_icon

STD3N30LT4

STD3N30 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD3N30 300 V

 9.1. Size:172K  1
std3n25 std3n25-1 std3n25t4.pdfpdf_icon

STD3N30LT4

STD3N25 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD3N25 250 V

Другие MOSFET... STD2N50T4 , STD2NA60-1 , STD2NA60T4 , STD3N25-1 , STD3N25T4 , STD3N30-1 , STD3N30L , STD3N30L-1 , IRF840 , STD3N30T4 , STD3NA50-1 , STD3NA50T4 , STD4N25-1 , STD4N25T4 , STD4NA40-1 , STD4NA40T4 , STD5N20-1 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.