Справочник MOSFET. STD3N30LT4

 

STD3N30LT4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD3N30LT4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STD3N30LT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  1
std3n30l std3n30l-1 std3n30lt4.pdfpdf_icon

STD3N30LT4

 7.1. Size:143K  1
std3n30 std3n30-1 std3n30t4.pdfpdf_icon

STD3N30LT4

STD3N30N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N30 300 V

 7.2. Size:143K  st
std3n30.pdfpdf_icon

STD3N30LT4

STD3N30N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N30 300 V

 9.1. Size:172K  1
std3n25 std3n25-1 std3n25t4.pdfpdf_icon

STD3N30LT4

STD3N25N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N25 250 V

Другие MOSFET... STD2N50T4 , STD2NA60-1 , STD2NA60T4 , STD3N25-1 , STD3N25T4 , STD3N30-1 , STD3N30L , STD3N30L-1 , 20N60 , STD3N30T4 , STD3NA50-1 , STD3NA50T4 , STD4N25-1 , STD4N25T4 , STD4NA40-1 , STD4NA40T4 , STD5N20-1 .

History: SJMN099R60ZSW | STT6802 | STP5NB40 | HMS4N70 | H2302A | SWF4N65K2 | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.