Справочник MOSFET. STD3N30LT4

 

STD3N30LT4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD3N30LT4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD3N30LT4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD3N30LT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  1
std3n30l std3n30l-1 std3n30lt4.pdfpdf_icon

STD3N30LT4

 7.1. Size:143K  1
std3n30 std3n30-1 std3n30t4.pdfpdf_icon

STD3N30LT4

STD3N30N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N30 300 V

 7.2. Size:143K  st
std3n30.pdfpdf_icon

STD3N30LT4

STD3N30N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N30 300 V

 9.1. Size:172K  1
std3n25 std3n25-1 std3n25t4.pdfpdf_icon

STD3N30LT4

STD3N25N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N25 250 V

Другие MOSFET... STD2N50T4 , STD2NA60-1 , STD2NA60T4 , STD3N25-1 , STD3N25T4 , STD3N30-1 , STD3N30L , STD3N30L-1 , IRF840 , STD3N30T4 , STD3NA50-1 , STD3NA50T4 , STD4N25-1 , STD4N25T4 , STD4NA40-1 , STD4NA40T4 , STD5N20-1 .

History: 15N60 | SPB100N08S2-07 | IRF150P221

 

 
Back to Top

 


 
.