IPN70R1K0CE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPN70R1K0CE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для IPN70R1K0CE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPN70R1K0CE даташит

 ..1. Size:1056K  infineon
 ipn70r1k0ce.pdf pdf_icon

IPN70R1K0CE

IPN70R1K0CE MOSFET PG-SOT223 700V CoolMOS CE Power Transistor CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighting markets by still meeting high

 6.1. Size:1055K  infineon
 ipn70r1k5ce.pdf pdf_icon

IPN70R1K0CE

IPN70R1K5CE MOSFET PG-SOT223 700V CoolMOS CE Power Transistor CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighting markets by still meeting high

 6.2. Size:1022K  infineon
 ipn70r1k2p7s.pdf pdf_icon

IPN70R1K0CE

IPN70R1K2P7S MOSFET PG-SOT223 700V CoolMOS P7 Power Transistor CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest CoolMOS P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV

 6.3. Size:1010K  infineon
 ipn70r1k4p7s.pdf pdf_icon

IPN70R1K0CE

IPN70R1K4P7S MOSFET PG-SOT223 700V CoolMOS P7 Power Transistor CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest CoolMOS P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPN60R1K5CE, IPN60R2K0PFD7S, IPN60R360P7S, IPN60R360PFD7S, IPN60R3K4CE, IPN60R600P7S, IPN60R600PFD7S, IPN65R1K5CE, 4N60, IPN70R1K2P7S, IPN70R1K4P7S, IPN70R1K5CE, IPN70R2K0P7S, IPN70R2K1CE, IPN70R360P7S, IPN70R600P7S, IPN70R750P7S