Справочник MOSFET. IPN70R900P7S

 

IPN70R900P7S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPN70R900P7S
   Маркировка: 70S900
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6.8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для IPN70R900P7S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPN70R900P7S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1023K  infineon
 ipn70r900p7s.pdf pdf_icon

IPN70R900P7S

IPN70R900P7SMOSFETPG-SOT223700V CoolMOS P7 Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies.The latest CoolMOS P7 is an optimized platform tailored to target costsensitive applications in consumer markets such as charger, adapter,lighting, TV

 8.1. Size:1056K  infineon
 ipn70r1k0ce.pdf pdf_icon

IPN70R900P7S

IPN70R1K0CEMOSFETPG-SOT223700V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting markets by still meeting high

 8.2. Size:1040K  infineon
 ipn70r2k1ce.pdf pdf_icon

IPN70R900P7S

IPN70R2K1CEMOSFETPG-SOT223700V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting markets by still meeting high

 8.3. Size:1055K  infineon
 ipn70r1k5ce.pdf pdf_icon

IPN70R900P7S

IPN70R1K5CEMOSFETPG-SOT223700V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting markets by still meeting high

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPN70R1K2P7S , IPN70R1K4P7S , IPN70R1K5CE , IPN70R2K0P7S , IPN70R2K1CE , IPN70R360P7S , IPN70R600P7S , IPN70R750P7S , 75N75 , IPN80R1K2P7 , IPN80R1K4P7 , IPN80R2K4P7 , IPN80R4K5P7 , IPN80R600P7 , IPN80R750P7 , IPN80R900P7 , IPN95R3K7P7 .

History: SI4944DY | STP10N80K5 | MMBT7002VW | IRFU7440PBF

 

 
Back to Top

 


 
.