IPU80R2K0P7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPU80R2K0P7
Маркировка: 80R2K0P7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для IPU80R2K0P7
IPU80R2K0P7 Datasheet (PDF)
ipu80r2k0p7.pdf
IPU80R2K0P7MOSFETIPAK800V CoolMOS P7 Power TransistorThe latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800Vtabsuper junction technologies and combines best-in-class performance withstate of the art ease-of-use, resulting from Infineons over 18 yearspioneering super junction technology innovation.Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and CDS(
ipd80r2k8ce ipu80r2k8ce.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE800V CoolMOS CE Power TransistorIPx80R2K8CEData SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket800V CoolMOS CE Power TransistorIPD80R2K8CE, IPU80R2K8CEDPAK IPAK1 DescriptiontabtabCoolMOS CE is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs. The high voltage capability combine
ipu80r2k4p7.pdf
IPU80R2K4P7MOSFETIPAK800V CoolMOS P7 Power TransistorThe latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800Vtabsuper junction technologies and combines best-in-class performance withstate of the art ease-of-use, resulting from Infineons over 18 yearspioneering super junction technology innovation.Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and CDS(
ipu80r2k8ce.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPU80R2K8CEFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918