Справочник MOSFET. STD8N10-1

 

STD8N10-1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD8N10-1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для STD8N10-1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD8N10-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:297K  1
std8n10-1 std8n10t4.pdfpdf_icon

STD8N10-1

 7.1. Size:590K  1
std8n10l std8n10l-1 std8n10lt4.pdfpdf_icon

STD8N10-1

 7.2. Size:299K  st
std8n10.pdfpdf_icon

STD8N10-1

This datasheet has been downloaded from http://www.digchip.com at this page

 9.1. Size:341K  1
std8n06-1 std8n06t4.pdfpdf_icon

STD8N10-1

STD8N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD8N06 60 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.