IRF3708LPBF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRF3708LPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 707 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для IRF3708LPBF
IRF3708LPBF Datasheet (PDF)
irf3708pbf irf3708spbf irf3708lpbf.pdf

PD - 95363IRF3708PbFSMPS MOSFET IRF3708SPbFIRF3708LPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC Isolated Converterswith Synchronous Rectification for TelecomVDSS RDS(on) max IDand Industrial Use 30V 12m 62Al High Frequency Buck Converters forComputer Processor Powerl Lead-FreeBenefitsl Ultra-Low Gate Impedancel Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ful
irf3708s irf3708l.pdf

PD - 93938BIRF3708SMPS MOSFET IRF3708SIRF3708LApplicationsHEXFET Power MOSFET High Frequency DC-DC Isolated Converterswith Synchronous Rectification for TelecomVDSS RDS(on) max IDand Industrial Use 30V 12m 62A High Frequency Buck Converters forComputer Processor PowerBenefits Ultra-Low Gate Impedance Very Low RDS(on) at 4.5V VGS Fully Characterized Avalanch
irf3708l.pdf

PD - 93938BIRF3708SMPS MOSFET IRF3708SIRF3708LApplicationsHEXFET Power MOSFET High Frequency DC-DC Isolated Converterswith Synchronous Rectification for TelecomVDSS RDS(on) max IDand Industrial Use 30V 12m 62A High Frequency Buck Converters forComputer Processor PowerBenefits Ultra-Low Gate Impedance Very Low RDS(on) at 4.5V VGS Fully Characterized Avalanch
irf3708.pdf

PD - 93938BIRF3708SMPS MOSFET IRF3708SIRF3708LApplicationsHEXFET Power MOSFET High Frequency DC-DC Isolated Converterswith Synchronous Rectification for TelecomVDSS RDS(on) max IDand Industrial Use 30V 12m 62A High Frequency Buck Converters forComputer Processor PowerBenefits Ultra-Low Gate Impedance Very Low RDS(on) at 4.5V VGS Fully Characterized Avalanch
Другие MOSFET... IRF1310NLPBF , IRF135SA204 , IRF150P220 , IRF150P221 , IRF200S234 , IRF3007LPBF , IRF300P226 , IRF3415LPBF , IRF520 , IRF40H233 , IRF520NSPBF , IRF530NLPBF , IRF5801PBF , IRF5802PBF , IRF5803PBF , IRF60DM206 , IRF6614PBF .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2320MI | AP2313MI | AP2312MI | AP2312AI | AP2311MI | AP2311AI | AP2307MI | AP2307AI | AP2305MI | AP2305BI | AP2305AI | AP2302CI | AP2301BI | AP2300MI | AP2300AI | AP15P06D
Popular searches
2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet