Справочник MOSFET. IRF6668PBF

 

IRF6668PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF6668PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: DIRECTFET
 

 Аналог (замена) для IRF6668PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF6668PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:630K  international rectifier
irf6668pbf irf6668trpbf.pdfpdf_icon

IRF6668PBF

PD - 97232AIRF6668PbFIRF6668TRPbFDirectFET Power MOSFET l RoHs Compliant Typical values (unless otherwise specified)l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)RDS(on) VDSS VGSl Application Specific MOSFETs12m@ 10Vl Ideal for High Performance Isolated Converter 80V max 20V maxPrimary Switch SocketQg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Optimized for Synchronous

 8.1. Size:247K  international rectifier
irf6662pbf irf6662trpbf.pdfpdf_icon

IRF6668PBF

PD - 97243AIRF6662PbFIRF6662TRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) RoHs Compliant RDS(on) VDSS VGS Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)17.5m@ 10V100V max 20V max Application Specific MOSFETsQg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) Ideal for High Performance Isolated ConverterPrimary Switch Socket22nC 6.8nC 1.2nC 50nC 11nC

 8.2. Size:233K  international rectifier
irf6665pbf irf6665trpbf.pdfpdf_icon

IRF6668PBF

PD - 97230AIRF6665PbFDIGITAL AUDIO MOSFETIRF6665TRPbFKey ParametersFeaturesVDS100 V Latest MOSFET Silicon technology Key parameters optimized for Class-D audio amplifierRDS(on) typ. @ VGS = 10V 53 m: applicationsQg typ.8.7 nC Low RDS(on) for improved efficiency Low Qg for better THD and improved efficiency RG(int) typ.1.9 Low Qrr for better THD

 8.3. Size:606K  international rectifier
irf6665.pdfpdf_icon

IRF6668PBF

PD - 96900CIRF6665DIGITAL AUDIO MOSFETKey ParametersFeaturesVDS100 V Latest MOSFET Silicon technology Key parameters optimized for Class-D audio amplifierRDS(on) typ. @ VGS = 10V 53 m: applicationsQg typ.8.7 nC Low RDS(on) for improved efficiency Low Qg for better THD and improved efficiency RG(int) typ.1.9 Low Qrr for better THD and lower EMI

Другие MOSFET... IRF6620PBF , IRF6623PBF , IRF6637PBF , IRF6644PBF , IRF6646PBF , IRF6648PBF , IRF6662PBF , IRF6665PBF , 50N06 , IRF6674TRPBF , IRF6715MPBF , IRF6722MPBF , IRF6775MTRPBF , IRF6797MPBF , IRF6893MPBF , IRF6898MTRPBF , IRF7101PBF .

History: IRF8010LPBF | NP80N03DLE

 

 
Back to Top

 


 
.