Справочник MOSFET. IRF6668PBF

 

IRF6668PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF6668PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 89 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.9 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 22 nC

Время нарастания (tr): 13 ns

Выходная емкость (Cd): 310 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.015 Ohm

Тип корпуса: DIRECTFET

Аналог (замена) для IRF6668PBF

 

 

IRF6668PBF Datasheet (PDF)

0.1. irf6668pbf irf6668trpbf.pdf Size:630K _infineon

IRF6668PBF
IRF6668PBF

PD - 97232AIRF6668PbFIRF6668TRPbFDirectFET Power MOSFET l RoHs Compliant Typical values (unless otherwise specified)l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)RDS(on) VDSS VGSl Application Specific MOSFETs12m@ 10Vl Ideal for High Performance Isolated Converter 80V max 20V maxPrimary Switch SocketQg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Optimized for Synchronous

8.1. irf6665.pdf Size:606K _international_rectifier

IRF6668PBF
IRF6668PBF

PD - 96900CIRF6665DIGITAL AUDIO MOSFETKey ParametersFeaturesVDS100 V Latest MOSFET Silicon technology Key parameters optimized for Class-D audio amplifierRDS(on) typ. @ VGS = 10V 53 m: applicationsQg typ.8.7 nC Low RDS(on) for improved efficiency Low Qg for better THD and improved efficiency RG(int) typ.1.9 Low Qrr for better THD and lower EMI

8.2. irf6662.pdf Size:277K _international_rectifier

IRF6668PBF
IRF6668PBF

PD - 97039AIRF6662DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) Lead and Bromide Free VDSS VGS RDS(on) Low Profile (

 8.3. irf6662pbf irf6662trpbf.pdf Size:247K _infineon

IRF6668PBF
IRF6668PBF

PD - 97243AIRF6662PbFIRF6662TRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) RoHs Compliant RDS(on) VDSS VGS Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)17.5m@ 10V100V max 20V max Application Specific MOSFETsQg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) Ideal for High Performance Isolated ConverterPrimary Switch Socket22nC 6.8nC 1.2nC 50nC 11nC

8.4. irf6665pbf irf6665trpbf.pdf Size:233K _infineon

IRF6668PBF
IRF6668PBF

PD - 97230AIRF6665PbFDIGITAL AUDIO MOSFETIRF6665TRPbFKey ParametersFeaturesVDS100 V Latest MOSFET Silicon technology Key parameters optimized for Class-D audio amplifierRDS(on) typ. @ VGS = 10V 53 m: applicationsQg typ.8.7 nC Low RDS(on) for improved efficiency Low Qg for better THD and improved efficiency RG(int) typ.1.9 Low Qrr for better THD

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top