IRF6668PBF - аналоги и даташиты транзистора

 

IRF6668PBF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF6668PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: DIRECTFET
 

 Аналог (замена) для IRF6668PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF6668PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:630K  international rectifier
 irf6668pbf irf6668trpbf.pdf pdf_icon

IRF6668PBF

PD - 97232AIRF6668PbFIRF6668TRPbFDirectFET Power MOSFET l RoHs Compliant Typical values (unless otherwise specified)l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)RDS(on) VDSS VGSl Application Specific MOSFETs12m@ 10Vl Ideal for High Performance Isolated Converter 80V max 20V maxPrimary Switch SocketQg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Optimized for Synchronous

 8.1. Size:247K  international rectifier
 irf6662pbf irf6662trpbf.pdf pdf_icon

IRF6668PBF

PD - 97243AIRF6662PbFIRF6662TRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) RoHs Compliant RDS(on) VDSS VGS Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)17.5m@ 10V100V max 20V max Application Specific MOSFETsQg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) Ideal for High Performance Isolated ConverterPrimary Switch Socket22nC 6.8nC 1.2nC 50nC 11nC

 8.2. Size:233K  international rectifier
 irf6665pbf irf6665trpbf.pdf pdf_icon

IRF6668PBF

PD - 97230AIRF6665PbFDIGITAL AUDIO MOSFETIRF6665TRPbFKey ParametersFeaturesVDS100 V Latest MOSFET Silicon technology Key parameters optimized for Class-D audio amplifierRDS(on) typ. @ VGS = 10V 53 m: applicationsQg typ.8.7 nC Low RDS(on) for improved efficiency Low Qg for better THD and improved efficiency RG(int) typ.1.9 Low Qrr for better THD

 8.3. Size:606K  international rectifier
 irf6665.pdf pdf_icon

IRF6668PBF

PD - 96900CIRF6665DIGITAL AUDIO MOSFETKey ParametersFeaturesVDS100 V Latest MOSFET Silicon technology Key parameters optimized for Class-D audio amplifierRDS(on) typ. @ VGS = 10V 53 m: applicationsQg typ.8.7 nC Low RDS(on) for improved efficiency Low Qg for better THD and improved efficiency RG(int) typ.1.9 Low Qrr for better THD and lower EMI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF6620PBF , IRF6623PBF , IRF6637PBF , IRF6644PBF , IRF6646PBF , IRF6648PBF , IRF6662PBF , IRF6665PBF , 50N06 , IRF6674TRPBF , IRF6715MPBF , IRF6722MPBF , IRF6775MTRPBF , IRF6797MPBF , IRF6893MPBF , IRF6898MTRPBF , IRF7101PBF .

 

 
Back to Top

 


 
.