Справочник MOSFET. JST8205S

 

JST8205S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JST8205S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0215 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для JST8205S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JST8205S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:843K  jestek
 jst8205s.pdf pdf_icon

JST8205S

JST8205S20V,4.8ADual N-Channel MosfetFEATURESSOT-23-6LRDS(ON) 21.5m @VGS=4.5VRDS(ON) 27.5m @VGS=2.5VAPPLICATIONSLoad Switch for Portable DevicesBattery ProtectionPower ManagementMARKING Dual N-CHANNEL MOSFETMaximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS 20VGate-Source Voltage V 12GSI 4.8D

Другие MOSFET... JST2302H , JST3400 , JST3401 , JST3415C , JST4406 , JST4435 , JST60N30T2 , JST80N30T2A , SPP20N60C3 , 8205S , JSM2301S , JSM2302 , JSM3400 , JSM3401L , JSM3420 , JSM3420S , JSM4953 .

History: MTC3588BDFA6 | NCEAP055N12D | PX567JZ

 

 
Back to Top

 


 
.