JST8205S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JST8205S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0215 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
Аналог (замена) для JST8205S
JST8205S Datasheet (PDF)
jst8205s.pdf
JST8205S20V,4.8ADual N-Channel MosfetFEATURESSOT-23-6LRDS(ON) 21.5m @VGS=4.5VRDS(ON) 27.5m @VGS=2.5VAPPLICATIONSLoad Switch for Portable DevicesBattery ProtectionPower ManagementMARKING Dual N-CHANNEL MOSFETMaximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS 20VGate-Source Voltage V 12GSI 4.8D
Другие MOSFET... JST2302H , JST3400 , JST3401 , JST3415C , JST4406 , JST4435 , JST60N30T2 , JST80N30T2A , 12N60 , 8205S , JSM2301S , JSM2302 , JSM3400 , JSM3401L , JSM3420 , JSM3420S , JSM4953 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGMH402C | AGMH20P15D | AGMH18N20C | AGMH1405C | AGMH12N10I | AGMH12N10D | AGMH065N10A | AGMH056N08HM1 | AGMH056N08C | AGMH056N08A | AGMH03N85C | AGMH035N10H | AGMH035N10C | AGMH035N10A | AGMH022P10H | AGM3404E
Popular searches
2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet


