Справочник MOSFET. KI2301

 

KI2301 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KI2301
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для KI2301

 

 

KI2301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:848K  lge
 ki2301.pdf

KI2301 KI2301

KI2301P-Channel 20-V(D-S) MosfetDESCRIPTION DThe KI2301 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SGENERAL FEATURES Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID(Typ) @-2.5V @-4.5V (Typ)-20V64m 89 m

 ..2. Size:185K  kexin
 si2301 ki2301.pdf

KI2301 KI2301

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2301 (KI2301) Features VDS (V) =-20V RDS(ON) 130m (VGS =-4.5V)3 RDS(ON) 190m (VGS =-2.5V)12 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -20

 0.1. Size:351K  tysemi
 ki2301ds.pdf

KI2301 KI2301

SMD Type ICSMD Type MOSFESMD Type MOSFETSMD Type MOSFETSMD Type MOSFETProduct specification KI2301DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = -20V RDS(ON) 100m (VGS = -4.5V)1 2+0.1+0.05 RDS(ON) 150m (VGS = -2.5V) 0.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.1D 1.Base1.Base1. Gate2.Emitter2.Emitter2. Source3.

 0.2. Size:49K  kexin
 ki2301bds.pdf

KI2301 KI2301

SMD Type TransistorsP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETKI2301BDSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13Features12RoH Lead (Pb)-Free Version is RoHS Compliant.+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 sec Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS -20 VGate-

 0.3. Size:322K  kexin
 ki2301t.pdf

KI2301

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET KI2301TSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-12V ID =-2.8 A1 2 RDS(ON) 115m (VGS =-4.5V)+0.1+0.050.95-0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.1 RDS(ON) 160m (VGS =-2.5V)1.Gate2.Source3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sou

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top