K2N7002K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: K2N7002K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для K2N7002K
K2N7002K Datasheet (PDF)
k2n7002k.pdf
K2N7002K N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2018.04.18 2018.04.18 2018.04.18 2018.04.18 1 000 2017.10.18 2 001 2018.04.18 3 1 of 7 AUK Dalian K2N7002K N-Channel Enh
Другие MOSFET... JSM3400 , JSM3401L , JSM3420 , JSM3420S , JSM4953 , JSM9435 , G2302 , KI2301 , AON7506 , SJMN60R15F , SJMN60R38F , SNN1000L10D , ME04N25-G , ME08N20 , ME08N20-G , ME10N15 , ME10N15-G .
History: IRFH8311PBF | FDMS037N08B | FDMS86255 | FQP3N50C
History: IRFH8311PBF | FDMS037N08B | FDMS86255 | FQP3N50C
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGMH402C | AGMH20P15D | AGMH18N20C | AGMH1405C | AGMH12N10I | AGMH12N10D | AGMH065N10A | AGMH056N08HM1 | AGMH056N08C | AGMH056N08A | AGMH03N85C | AGMH035N10H | AGMH035N10C | AGMH035N10A | AGMH022P10H | AGM3404E
Popular searches
tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118


