ME08N20-G - описание и поиск аналогов

 

ME08N20-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME08N20-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ME08N20-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME08N20-G даташит

 ..1. Size:1163K  matsuki electric
 me08n20 me08n20-g.pdf pdf_icon

ME08N20-G

ME08N20/ME08N20-G N- Channel 200V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME08N20 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 0.4 @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-resist

Другие MOSFET... G2302 , KI2301 , K2N7002K , SJMN60R15F , SJMN60R38F , SNN1000L10D , ME04N25-G , ME08N20 , IRFP450 , ME10N15 , ME10N15-G , ME110N10T , ME110N10F , ME120N10T , ME120N10T-G , ME12N04 , ME12N04-G .

History: MCH6601

 

 

 

 

↑ Back to Top
.