STE180N05 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STE180N05
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 270 nC
trⓘ - Время нарастания: 210 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5200(max) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: ISOTOP
STE180N05 Datasheet (PDF)
ste180n05.pdf
STE180N05N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGETYPE V R IDSS DS(on) DSTE180N05 50 V
ste180n10.pdf
STE180N10N - CHANNEL 100V - 5.5 m - 180A - ISOTOPPOWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE180N10 100 V
ste180ne10.pdf
STE180NE10N-channel 100V - 4.5m - 180A - ISOTOPSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTE180NE10 100V
Другие MOSFET... STD8N10L , STD8N10L-1 , STD8N10LT4 , STD8N10T4 , STE100N20 , STE150N10 , STE15N100 , STE16N100 , IRFP250N , STE180N10 , STE22N80 , STE24N90 , STE250N05 , STE250N06 , STE26N50 , STE26NA90 , STE36N50 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918