Справочник MOSFET. ME20P03

 

ME20P03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME20P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 27.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 21 nC
   Время нарастания (tr): 19 ns
   Выходная емкость (Cd): 123 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для ME20P03

 

 

ME20P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1673K  matsuki electric
me20p03 me20p03-g.pdf

ME20P03
ME20P03

ME20P03/ME20P03-G P- Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME20P03 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)32m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)42m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low

 ..2. Size:837K  cn vbsemi
me20p03.pdf

ME20P03
ME20P03

ME20P03www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.033 at VGS = - 10 V - 26 100 % Rg TestedRoHS- 30 19 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.046 at VGS = - 4.5 V - 21APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSTO-252GG D SDTop ViewP-Cha

 8.1. Size:1338K  matsuki electric
me20p06 me20p06-g.pdf

ME20P03
ME20P03

ME20P06/ME20P06-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME20P06 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)78m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)100m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low

 8.2. Size:828K  cn vbsemi
me20p06.pdf

ME20P03
ME20P03

ME20P06www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Symbo

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top