ME2301-G - аналоги и даташиты транзистора

 

ME2301-G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ME2301-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для ME2301-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME2301-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1127K  matsuki electric
 me2301 me2301-g.pdf pdf_icon

ME2301-G

ME2301/ME2301-G P-Channel Enhancement Mode MosfetGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 110m@VGS=-4.5V The ME2301 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 150m@VGS=-2.5V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is es

 8.1. Size:1077K  matsuki electric
 me2301a me2301a-g.pdf pdf_icon

ME2301-G

ME2301A/ ME2301A-G P-Channel 20V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2301A is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 75m@VGS=-4.5V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 95m@VGS=-2.5V technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 130m@VGS=-1.8V minimize on-stat

 8.2. Size:1999K  matsuki electric
 me2301dc me2301dc-g.pdf pdf_icon

ME2301-G

ME2301DC/ME2301DC-G P-Channel 20V(D-S) MOSFET, ESD ProtectedGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2301DC is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 110m@VGS=-4.5Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 150m@VGS=-2.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design

 8.3. Size:1321K  matsuki electric
 me2301gc me2301gc-g.pdf pdf_icon

ME2301-G

ME2301GC/ ME2301GC-G P-Channel 20V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 75m@VGS=-4.5V The ME2301GC is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 95m@VGS=-2.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 130m@VGS=-1.8V trench technology. This high density process is especially tailored to Sup

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ME20N03-G , ME20N15 , ME20N15-G , ME20P03 , ME20P03-G , ME20P06 , ME20P06-G , ME2301 , P60NF06 , IRF7303PBF , IRF7304PBF , IRF7306PBF , IRF7307PBF , IRF7309TRPBF-1 , IRF7311PBF , IRF7313PBF , IRF7314PBF .

History: BUK436W-800A | VN0605T | FDPC4044

 

 
Back to Top

 


 
.