IRFH5250DPBF - описание и поиск аналогов

 

IRFH5250DPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFH5250DPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1730 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm

Тип корпуса: PQFN5X6

Аналог (замена) для IRFH5250DPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFH5250DPBF даташит

 ..1. Size:292K  international rectifier
irfh5250dpbf.pdfpdf_icon

IRFH5250DPBF

IRFH5250DPbF HEXFET Power MOSFET VDS 25 V RDS(on) max 1.4 m (@VGS = 10V) VSD max 0.6 V (@IS = 5.0A) trr (typical) 27 ns ID PQFN 5X6 mm 100 A (@Tmb = 25 C) Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Benefits Features Low RDSon (

 6.1. Size:261K  international rectifier
irfh5250pbf.pdfpdf_icon

IRFH5250DPBF

IRFH5250PbF HEXFET Power MOSFET VDS 25 V RDS(on) max 1.15 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 52 nC RG (typical) 1.3 ID 100 A PQFN 5X6 mm (@Tmb = 25 C) Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Features and Benefits Benefits Features Low RDSon (

 7.1. Size:298K  international rectifier
irfh5255pbf.pdfpdf_icon

IRFH5250DPBF

PD -96289 IRFH5255PbF HEXFET Power MOSFET VDS 25 V RDS(on) max 6.0 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 7.0 nC RG (typical) 0.6 ID PQFN 5X6 mm 51 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Control MOSFET for high Frequency Buck Converters Features and Benefits Benefits Features Low Charge (typical 7nC) Lower Switching Losses Low Rg (typical 0.6 ) Lower Switching Losses

 8.1. Size:210K  international rectifier
irfh5210pbf.pdfpdf_icon

IRFH5250DPBF

PD - 97490A IRFH5210PbF HEXFET Power MOSFET VDS 100 V RDS(on) max 14.9 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 40 nC RG (typical) 1.7 ID 55 A PQFN 5X6 mm (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon ( 14.9m

Другие MOSFET... IRFB7730PBF , IRFB7734PBF , IRFB7787PBF , IRFH4251DPBF , IRFH4253DPBF , IRFH5004PBF , IRFH5006PBF , IRFH5215PBF , K4145 , IRFH5302DPBF , IRFH5302PBF , IRFH6200TRPBF , IRFH7004PBF , IRFH7084PBF , IRFH7085PBF , IRFH7440PBF , IRFH7446PBF .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.