Справочник MOSFET. IRFHM792PBF

 

IRFHM792PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFHM792PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.195 Ohm
   Тип корпуса: PQFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для IRFHM792PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFHM792PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  international rectifier
 irfhm792pbf.pdf pdf_icon

IRFHM792PBF

IRFHM792PbFHEXFET Power MOSFETVDS 100 VVgs max TOP VIEWV 20DRDS(on) max D D D195 m8 7 6 5(@VGS = 10V) GSGSDQg typ4.2 nC DDDDDID 3.4 A1 2 3 4(@Tc(Bottom) = 25C)PQFN Dual 3.3X3.3 mmS G S GApplications DC-DC Primary Switch 48V Battery MonitoringFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow RDSon (

 6.1. Size:283K  1
 irfhm792.pdf pdf_icon

IRFHM792PBF

PD - 96368AIRFHM792TRPbFIRFHM792TR2PbFHEXFET Power MOSFETVDS 100 VVgs max TOP VIEWV 20DRDS(on) max D D D195 m8 7 6 5(@VGS = 10V) GSGSDQg typ4.2 nC DDDDDID 3.4 A1 2 3 4(@Tc(Bottom) = 25C)PQFN Dual 3.3X3.3 mmS G S GApplications DC-DC Primary Switch 48V Battery MonitoringFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow R

 6.2. Size:261K  1
 irfhm792trpbf.pdf pdf_icon

IRFHM792PBF

IRFHM792PbFHEXFET Power MOSFETVDS 100 VVgs max TOP VIEWV 20DRDS(on) max D D D195 m8 7 6 5(@VGS = 10V) GSGSDQg typ4.2 nC DDDDDID 3.4 A1 2 3 4(@Tc(Bottom) = 25C)PQFN Dual 3.3X3.3 mmS G S GApplications DC-DC Primary Switch 48V Battery MonitoringFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow RDSon (

 8.1. Size:571K  international rectifier
 irfhm7194.pdf pdf_icon

IRFHM792PBF

FastIRFET IRFHM7194TRPbF HEXFET Power MOSFET VDSS 100 V RDS(on) max 16.4 m(@ VGS = 10V) Qg (typical) 13 nC Rg (typical) 2.0 ID 34 A(@TC (Bottom) = 25C) PQFN 3.3 x 3.3 mm Applications Primary Switch for High Frequency 48V/60V Telecom DC-DC Power Supplies Secondary Side Synchronous Rectifier Features Benefits Low RDSon (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFH7440PBF , IRFH7446PBF , IRFH7545PBF , IRFH8201PBF , IRFH8202TRPBF , IRFH8303PBF , IRFH8311PBF , IRFH8324PBF , P60NF06 , IRFHM8326PBF , IRFHM8329PBF , IRFI7446GPBF , IRFP140NPBF , IRFR3707ZPBF , IRFS23N15DPBF , IRFS31N20DP , IRFSL23N20DPBF .

History: IRF50N06 | NCE65TF180 | 2N6661M1A | ZVP4525Z | NCE65N680K | DH012N03P | HYG042N10NS1B

 

 
Back to Top

 


 
.