IRFHM792PBF - описание и поиск аналогов

 

IRFHM792PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFHM792PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.195 Ohm

Тип корпуса: PQFN3.3X3.3

Аналог (замена) для IRFHM792PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFHM792PBF даташит

 ..1. Size:261K  international rectifier
irfhm792pbf.pdfpdf_icon

IRFHM792PBF

IRFHM792PbF HEXFET Power MOSFET VDS 100 V Vgs max TOP VIEW V 20 D RDS(on) max D D D 195 m 8 7 6 5 (@VGS = 10V) G S G S D Qg typ 4.2 nC D D D D D ID 3.4 A 1 2 3 4 (@Tc(Bottom) = 25 C) PQFN Dual 3.3X3.3 mm S G S G Applications DC-DC Primary Switch 48V Battery Monitoring Features and Benefits Features Benefits Low RDSon (

 6.1. Size:283K  1
irfhm792.pdfpdf_icon

IRFHM792PBF

PD - 96368A IRFHM792TRPbF IRFHM792TR2PbF HEXFET Power MOSFET VDS 100 V Vgs max TOP VIEW V 20 D RDS(on) max D D D 195 m 8 7 6 5 (@VGS = 10V) G S G S D Qg typ 4.2 nC D D D D D ID 3.4 A 1 2 3 4 (@Tc(Bottom) = 25 C) PQFN Dual 3.3X3.3 mm S G S G Applications DC-DC Primary Switch 48V Battery Monitoring Features and Benefits Features Benefits Low R

 6.2. Size:261K  1
irfhm792trpbf.pdfpdf_icon

IRFHM792PBF

IRFHM792PbF HEXFET Power MOSFET VDS 100 V Vgs max TOP VIEW V 20 D RDS(on) max D D D 195 m 8 7 6 5 (@VGS = 10V) G S G S D Qg typ 4.2 nC D D D D D ID 3.4 A 1 2 3 4 (@Tc(Bottom) = 25 C) PQFN Dual 3.3X3.3 mm S G S G Applications DC-DC Primary Switch 48V Battery Monitoring Features and Benefits Features Benefits Low RDSon (

 8.1. Size:571K  international rectifier
irfhm7194.pdfpdf_icon

IRFHM792PBF

FastIRFET IRFHM7194TRPbF HEXFET Power MOSFET VDSS 100 V RDS(on) max 16.4 m (@ VGS = 10V) Qg (typical) 13 nC Rg (typical) 2.0 ID 34 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 3.3 x 3.3 mm Applications Primary Switch for High Frequency 48V/60V Telecom DC-DC Power Supplies Secondary Side Synchronous Rectifier Features Benefits Low RDSon (

Другие MOSFET... IRFH7440PBF , IRFH7446PBF , IRFH7545PBF , IRFH8201PBF , IRFH8202TRPBF , IRFH8303PBF , IRFH8311PBF , IRFH8324PBF , AO4407 , IRFHM8326PBF , IRFHM8329PBF , IRFI7446GPBF , IRFP140NPBF , IRFR3707ZPBF , IRFS23N15DPBF , IRFS31N20DP , IRFSL23N20DPBF .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.