IRFU24N15DPBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFU24N15DPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для IRFU24N15DPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFU24N15DPBF даташит
irfr24n15dpbf irfu24n15dpbf.pdf
PD - 95370B IRFR24N15DPbF IRFU24N15DPbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID l High frequency DC-DC converters 150V 95m 24A Benefits l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) D-Pak I-Pak IRFR24N15DPbF IRFU24N15DPbF l Fully Characterized Avalanch
irfu24n15d.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU24N15D FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE
irfr2407pbf irfu2407pbf.pdf
PD-95033A IRFR2407PbF IRFU2407PbF Lead-Free www.irf.com 1 12/10/04 IRFR/U2407PbF 2 www.irf.com IRFR/U2407PbF www.irf.com 3 IRFR/U2407PbF 4 www.irf.com IRFR/U2407PbF www.irf.com 5 IRFR/U2407PbF 6 www.irf.com IRFR/U2407PbF www.irf.com 7 IRFR/U2407PbF D-Pak (TO-252AA) Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) D-Pak (TO-252AA) Part Marking Informat
irfr2405pbf irfu2405pbf.pdf
PD - 95369A IRFR2405PbF IRFU2405PbF l Surface Mount (IRFR2405) HEXFET Power MOSFET l Straight Lead (IRFU2405) l Advanced Process Technology D VDSS = 55V l Dynamic dv/dt Rating l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.016 G l Lead-Free Description ID = 56A Seventh Generation HEXFET Power MOSFETs from S International Rectifier utilize advanced processing
Другие MOSFET... IRFSL23N20DPBF , IRFSL31N20DP , IRFSL33N15DPBF , IRFSL41N15DPBF , IRFSL52N15DPBF , IRFSL59N10DPBF , IRFU18N15DPBF , IRFU2407PBF , IRFZ24N , IRFU3303PBF , IRFU3504ZPBF , IRFU3710Z-701PBF , IRFU3710ZPBF , IRFZ44ELPBF , IRFZ44VZLPBF , IRFZ48NSPBF , IRFZ48VPBF .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet




