Справочник MOSFET. ISZ065N03L5S

 

ISZ065N03L5S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ISZ065N03L5S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON-8FL

 Аналог (замена) для ISZ065N03L5S

 

 

ISZ065N03L5S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1025K  infineon
 isz065n03l5s.pdf

ISZ065N03L5S ISZ065N03L5S

ISZ065N03L5SMOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM Power-MOSFET, 30 V(enlarged source interconnection)Features Optimized for high performance Buck converter (Server,VGA) Very low FOM for High Frequency SMPSQOSS Low FOM for High Frequency SMPSSW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Superior thermal resistan

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top