Справочник MOSFET. STE47N50

 

STE47N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STE47N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 550 nC
   trⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: ISOTOP

 Аналог (замена) для STE47N50

 

 

STE47N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:295K  1
ste47n50.pdf

STE47N50
STE47N50

www.DataSheet4U.com

Другие MOSFET... STE26NA90 , STE36N50 , STE36N50-DA , STE36N50-DK , STE38N60 , STE38NA50 , STE40N55 , STE45N50 , IRF4905 , STE50N40 , STE53NA50 , STE90N25 , STH10NA50 , STH10NA50FI , STH12N60 , STH12N60FI , STH12NA60 .

 

 
Back to Top