Справочник MOSFET. ME55N06A-G

 

ME55N06A-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME55N06A-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 363 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для ME55N06A-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME55N06A-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1148K  matsuki electric
 me55n06a me55n06a-g.pdf pdf_icon

ME55N06A-G

ME55N06A/ ME55N06A-G N-Channel 75-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME55N06A is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)9.5m@VGS=10V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density proces

 7.1. Size:1114K  matsuki electric
 me55n06 me55n06-g.pdf pdf_icon

ME55N06A-G

ME55N06/ ME55N06-GN-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME55N06 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)9.5m@VGS=10V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density process

Другие MOSFET... ME50N06A-G , ME50N06T , ME50N06T-G , ME50N75T , ME50N75T-G , ME50P06 , ME50P06-G , ME55N06A , 12N60 , ME60N03-G , ME60N03AS , ME60N03AS-G , ME60P06T , ME60P06T-G , ME66N04T , ME6968ED , ME6968ED-G .

History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04

 

 
Back to Top

 


 
.