Справочник MOSFET. ME6968ED

 

ME6968ED MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME6968ED
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   trⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8

 Аналог (замена) для ME6968ED

 

 

ME6968ED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1082K  matsuki electric
 me6968ed me6968ed-g.pdf

ME6968ED ME6968ED

ME6968ED(-G) Dual N-Channel 20V(D-S) Enhancement Mode MosfetGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)25m@VGS=10V The ME6968ED Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)27m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)32m@VGS=2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to S

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top