ME9435-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ME9435-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
ME9435-G Datasheet (PDF)
me9435 me9435-g.pdf
ME9435/ ME9435-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)60m@VGS=-10V The ME9435 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)90m@VGS=-4.5V effect transistors, using high cell density, DMOS trench technology. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) This high density process is especially tailored to mini
me9435as me9435as-g.pdf
ME9435AS/ ME9435AS-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)45m@VGS=-10V The ME9435AS is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)60m@VGS=-4.5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored t
me9435a me9435a-g.pdf
ME9435A/ME9435A-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)40m@VGS=-10V The ME9435A is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)60m@VGS=-4.5V effect transistors, using high cell density, DMOS trench technology. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) This high density process is especially tailored to m
me9435.pdf
ME9435www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5DTop Vi
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918