JCS10N65CT - описание и поиск аналогов

 

JCS10N65CT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JCS10N65CT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 109 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 156 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO-220C

Аналог (замена) для JCS10N65CT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS10N65CT даташит

 ..1. Size:1484K  jilin sino
jcs10n65bt jcs10n65st jcs10n65ct jcs10n65ft.pdfpdf_icon

JCS10N65CT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N65T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9.5 A VDSS 650 V Rdson-max 0.95 @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEATURE

 0.1. Size:536K  jilin sino
ajcs10n65ct.pdfpdf_icon

JCS10N65CT

 5.1. Size:741K  jilin sino
jcs10n65f jcs10n65c jcs10n65b jcs10n65s.pdfpdf_icon

JCS10N65CT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 10 A VDSS 650 V Rdson-max 0.85 Vgs=10V Qg-Typ 30 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 6.1. Size:830K  jilin sino
jcs10n65f.pdfpdf_icon

JCS10N65CT

Другие MOSFET... MESS84 , JCS10N60BT , JCS10N60CC , JCS10N60CT , JCS10N60FC , JCS10N60FT , JCS10N60ST , JCS10N65BT , 75N75 , JCS10N65FC , JCS10N65FT , JCS10N65ST , KCB3008A , KCF3650A , KCM3650A , KCF9860A , KCM9860A .

History: IPI111N15N3 | AOV11S60 | 4N65L-TF1-T | HCFL65R210 | MEE7630-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.