Справочник MOSFET. JCS10N65FC

 

JCS10N65FC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS10N65FC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220MF
 

 Аналог (замена) для JCS10N65FC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS10N65FC Datasheet (PDF)

 5.1. Size:830K  jilin sino
 jcs10n65f.pdf pdf_icon

JCS10N65FC

R JCS10N65FC JCS10N65FC Package MAIN CHARACTERISTICS ID 10 A 650 V VDSS 1.0 Rdson-max@Vgs=10V Qg-Typ 54 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power supplies FEATURES

 5.2. Size:1484K  jilin sino
 jcs10n65bt jcs10n65st jcs10n65ct jcs10n65ft.pdf pdf_icon

JCS10N65FC

N RN-CHANNEL MOSFET JCS10N65T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9.5 A VDSS 650 V Rdson-max 0.95 @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEATURE

 5.3. Size:741K  jilin sino
 jcs10n65f jcs10n65c jcs10n65b jcs10n65s.pdf pdf_icon

JCS10N65FC

N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 10 A VDSS 650 V Rdson-max0.85 Vgs=10V Qg-Typ 30 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JCS10N60BT , JCS10N60CC , JCS10N60CT , JCS10N60FC , JCS10N60FT , JCS10N60ST , JCS10N65BT , JCS10N65CT , RU6888R , JCS10N65FT , JCS10N65ST , KCB3008A , KCF3650A , KCM3650A , KCF9860A , KCM9860A , KCY3104S .

History: IRFP140NPBF | IRFH4253DPBF | HSF10N65 | P1203EVG | IRF9Z24NLPBF | WMK25N80M3 | HFS12N60U

 

 
Back to Top

 


 
.