JCS10N65ST MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: JCS10N65ST
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 34 nC
Время нарастания (tr): 109 ns
Выходная емкость (Cd): 156 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.95 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для JCS10N65ST
JCS10N65ST Datasheet (PDF)
jcs10n65bt jcs10n65st jcs10n65ct jcs10n65ft.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET JCS10N65T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9.5 A VDSS 650 V Rdson-max 0.95 @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEATURE
jcs10n65f jcs10n65c jcs10n65b jcs10n65s.pdf
N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 10 A VDSS 650 V Rdson-max0.85 Vgs=10V Qg-Typ 30 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge
jcs10n65f.pdf
R JCS10N65FC JCS10N65FC Package MAIN CHARACTERISTICS ID 10 A 650 V VDSS 1.0 Rdson-max@Vgs=10V Qg-Typ 54 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power supplies FEATURES
ajcs10n65ct.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET AJCS10N65CT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 10A VDSS 650V Rdson-max 0.95 @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS Electronic ballast UPS UPS Automotive applications High frequency switching
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
