KIA20N50H-247 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KIA20N50H-247
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для KIA20N50H-247
KIA20N50H-247 Datasheet (PDF)
kia20n50h.pdf

20A500V20N50HN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA20N50H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for highvoltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies,active power factor correction.2. Features R =0.21 @V =10VDS(on) GS Lowgate ch
Другие MOSFET... KIA12N60H-220F , KIA12N65H , KIA13N50H-220 , KIA13N50H-220F , KIA13N50H-263 , KIA18N50H-220F , KIA18N50H-247 , KIA20N50H-220F , IRFZ44N , KIA20N50H-3P , KIA2300 , KIA2301 , KIA2302 , KIA2305 , KIA2306 , KIA2404A-220 , KIA2404A-247 .
History: RUH30150M | CMI80N06 | IRFPS30N60KPBF | FDMS8558S | TK10A60W5 | NCEP026N10M | SFG08S06DF
History: RUH30150M | CMI80N06 | IRFPS30N60KPBF | FDMS8558S | TK10A60W5 | NCEP026N10M | SFG08S06DF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor