KIA20N50H-247 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KIA20N50H-247
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 400 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO247
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
KIA20N50H-247 Datasheet (PDF)
kia20n50h.pdf

20A500V20N50HN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA20N50H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for highvoltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies,active power factor correction.2. Features R =0.21 @V =10VDS(on) GS Lowgate ch
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: IRF6678 | MC11N005 | KRF7663 | JCS5N50CT | NCEP026N10F | NVMFS5C628N | SI7913DN
History: IRF6678 | MC11N005 | KRF7663 | JCS5N50CT | NCEP026N10F | NVMFS5C628N | SI7913DN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor