Справочник MOSFET. KIA4N60H-252

 

KIA4N60H-252 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KIA4N60H-252
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KIA4N60H-252 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:316K  kia
 kia4n60h.pdf pdf_icon

KIA4N60H-252

4.0A600VN-CHANNELMOSFET4N60HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA4N60H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for highvoltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.2. Features R =2.3@V =10VDS(ON) GS Lowgate cha

 8.1. Size:239K  kia
 kia4n65h.pdf pdf_icon

KIA4N60H-252

4.0A650VN-CHANNELMOSFET4N65HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. DescriptionThis Power MOSFET is produced using KIA advanced planar stripe DMOS technology. Thisadvanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superiorswitching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. Thes

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MT3203 | AP2306CGN-HF | STP27N3LH5 | STU411D | IXFV12N80PS | MSD30N06 | LNC4N80

 

 
Back to Top

 


 
.