KIA50N03-220 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KIA50N03-220
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 270 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.013 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для KIA50N03-220
KIA50N03-220 Datasheet (PDF)
kia50n03bd.pdf
50A30VN-CHANNELMOSFETKIA50N03BKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features Advanced trenchprocess technology High density cell design for ultra lowon-resistance Fully characterized avalanche voltage and current2. Features 50A, 30V, R (on) typ. =6.5m(typ.)@V =10 VDS GSLowgate charge LowCrss Fast switching Improveddv/dt capability3. Pinc
kia50n03.pdf
50 Amps, 30 Volts N-CHANNEL MOSFET 50N03 KIA KIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance Fully characterized avalanche voltage and current 2.Applications VDSS=30V,RDS(on)=6.5m,ID=50A Vds=30V RDS(ON)=6.5m(Max.),VGS@10V,Ids@30A RDS(
kia50n06.pdf
KIA50N06PbKIA50N06Pb Free Plating Product50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFETFeatures2. Drain 50A, 60V, RDS(on) = 0.022 @VGS = 10 VBVDSS = 60V Low gate charge ( typical 31 nC) Low Crss ( typical 65 pF)RDS(ON) = 0.022 ohm Fast switching 1. Gate 100% avalanche testedID = 50A
kia50n06b.pdf
50A60V50N06BN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =10.5m@ V =10VDS(on) GS Lead free and green device available Low Rds-on to minimize conductive loss High avalanche current2. Applications Power supply UPS Battery management system3.SymbolPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1of 6 Rev 1.1JAN2014
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
