Справочник MOSFET. KIA50N06B-220

 

KIA50N06B-220 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KIA50N06B-220
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 755 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: TO220 TO252
 

 Аналог (замена) для KIA50N06B-220

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KIA50N06B-220 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:394K  kia
kia50n06b.pdfpdf_icon

KIA50N06B-220

50A60V50N06BN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =10.5m@ V =10VDS(on) GS Lead free and green device available Low Rds-on to minimize conductive loss High avalanche current2. Applications Power supply UPS Battery management system3.SymbolPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1of 6 Rev 1.1JAN2014

 6.1. Size:1126K  1
kia50n06.pdfpdf_icon

KIA50N06B-220

KIA50N06PbKIA50N06Pb Free Plating Product50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFETFeatures2. Drain 50A, 60V, RDS(on) = 0.022 @VGS = 10 VBVDSS = 60V Low gate charge ( typical 31 nC) Low Crss ( typical 65 pF)RDS(ON) = 0.022 ohm Fast switching 1. Gate 100% avalanche testedID = 50A

 7.1. Size:123K  kia
kia50n03bd.pdfpdf_icon

KIA50N06B-220

50A30VN-CHANNELMOSFETKIA50N03BKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features Advanced trenchprocess technology High density cell design for ultra lowon-resistance Fully characterized avalanche voltage and current2. Features 50A, 30V, R (on) typ. =6.5m(typ.)@V =10 VDS GSLowgate charge LowCrss Fast switching Improveddv/dt capability3. Pinc

 7.2. Size:6996K  kia
kia50n03.pdfpdf_icon

KIA50N06B-220

50 Amps, 30 Volts N-CHANNEL MOSFET 50N03 KIA KIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance Fully characterized avalanche voltage and current 2.Applications VDSS=30V,RDS(on)=6.5m,ID=50A Vds=30V RDS(ON)=6.5m(Max.),VGS@10V,Ids@30A RDS(

Другие MOSFET... KIA4N65H-251 , KIA4N65H-252 , KIA4N65H-220 , KIA4N65H-220F , KIA50N03-251 , KIA50N03-252 , KIA50N03-220 , KIA50N03BD , 10N65 , KIA5610A , KIA5N60E , KIA6035A , KIA65R190 , KIA65R300 , KIA65R420 , KIA65R700 , KIA65R950 .

History: STI40N65M2 | FDMC86265P | WML12N80M3 | CS2N80A3HY

 

 
Back to Top

 


 
.