KIA50N06B-220 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KIA50N06B-220
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 755 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
Тип корпуса: TO220 TO252
Аналог (замена) для KIA50N06B-220
KIA50N06B-220 Datasheet (PDF)
kia50n06b.pdf
50A60V50N06BN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =10.5m@ V =10VDS(on) GS Lead free and green device available Low Rds-on to minimize conductive loss High avalanche current2. Applications Power supply UPS Battery management system3.SymbolPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1of 6 Rev 1.1JAN2014
kia50n06.pdf
KIA50N06PbKIA50N06Pb Free Plating Product50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFETFeatures2. Drain 50A, 60V, RDS(on) = 0.022 @VGS = 10 VBVDSS = 60V Low gate charge ( typical 31 nC) Low Crss ( typical 65 pF)RDS(ON) = 0.022 ohm Fast switching 1. Gate 100% avalanche testedID = 50A
kia50n03bd.pdf
50A30VN-CHANNELMOSFETKIA50N03BKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features Advanced trenchprocess technology High density cell design for ultra lowon-resistance Fully characterized avalanche voltage and current2. Features 50A, 30V, R (on) typ. =6.5m(typ.)@V =10 VDS GSLowgate charge LowCrss Fast switching Improveddv/dt capability3. Pinc
kia50n03.pdf
50 Amps, 30 Volts N-CHANNEL MOSFET 50N03 KIA KIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance Fully characterized avalanche voltage and current 2.Applications VDSS=30V,RDS(on)=6.5m,ID=50A Vds=30V RDS(ON)=6.5m(Max.),VGS@10V,Ids@30A RDS(
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD