Справочник MOSFET. KIA840S-220

 

KIA840S-220 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KIA840S-220
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KIA840S-220 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:210K  kia
kia840s.pdfpdf_icon

KIA840S-220

8A500V840SN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =0.7 (typ) @V =10VDS(ON) GS RoHS compliant Low on resistance Low gate charge Peak current vs pulse width curve2. Applications Adaptor TVmain power SMPSpower supply LCDpanel power3.SymbolPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1 of 6 Rev 1.2 JAN2016

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WMN12N100C2 | 2SK3430-ZJ | NTTFS4932NTAG | R6535KNZ1 | IXTP4N50A | PHU97NQ03LT | VSE002N03MS-G

 

 
Back to Top

 


 
.