KNB1906A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KNB1906A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 254 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1240 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для KNB1906A
KNB1906A Datasheet (PDF)
knp1906a knb1906a.pdf

230A60VKNX1906AN-CHANNEL MOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =2.2mtyp.@ V =10VDS(on) GS Lead free and green device available Low R to minimize conductive lossDS-on High avalanche current2. Applications Power supply UPS Battery management system3.SymbolPin Function1 Gate2 Drain3 So
Другие MOSFET... KIA7N60U , KIA7N80H-220 , KIA7N80H-220F , KIA840S-252 , KIA840S-263 , KIA840S-220 , KIA8N60H-220 , KIA8N60H-220F , IRF520 , KNB2404A , KNB2708A , KNB2710A , KNB2803A , KNB2804A , KNB2804C , KNB2906A , KNB2910A .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554