KNB2708A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KNB2708A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 313 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 160 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 115 nC
Время нарастания (tr): 135 ns
Выходная емкость (Cd): 650 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0048 Ohm
Тип корпуса: TO263
KNB2708A Datasheet (PDF)
knp2708a knb2708a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
160A80VKNX2708AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewTrenchTechnology R =4.0m@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications High efficiency DC/DCconverters Synchronous Rectification UPSInverter3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 D
knb2710a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
160A100VN-CHANNELMOSFETKNX2710AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewTrenchTechnology R =4.5 m@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications High efficiency DC/DCconverters Synchronous Rectification UPSInverter3. PinconfigurationPin Function1 Gate2
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .