KNB2708A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KNB2708A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 135 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для KNB2708A
KNB2708A Datasheet (PDF)
knp2708a knb2708a.pdf

160A80VKNX2708AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewTrenchTechnology R =4.0m@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications High efficiency DC/DCconverters Synchronous Rectification UPSInverter3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 D
knb2710a.pdf

160A100VN-CHANNELMOSFETKNX2710AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewTrenchTechnology R =4.5 m@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications High efficiency DC/DCconverters Synchronous Rectification UPSInverter3. PinconfigurationPin Function1 Gate2
Другие MOSFET... KIA7N80H-220F , KIA840S-252 , KIA840S-263 , KIA840S-220 , KIA8N60H-220 , KIA8N60H-220F , KNB1906A , KNB2404A , IRFZ48N , KNB2710A , KNB2803A , KNB2804A , KNB2804C , KNB2906A , KNB2910A , KNB2915A , KNB3204A .
History: SQJB80EP
History: SQJB80EP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283