KNB3206A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KNB3206A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
trⓘ - Время нарастания: 43 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO263
KNB3206A Datasheet (PDF)
knd3206a knb3206a knp3206a knh3206a.pdf
110A60VN-CHANNELMOSFETKNX3206AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =6.5m(typ)@V =10VDS(ON) GS LowR to Minimize Conductive LossDS(ON) LowGate Charge for Fast SwitchingApplication OptimizedB CapabilityVDSS2. Applications Power Supply DC-DCconverters3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1of 7
knd3204a kny3204a knb3204a knp3204a.pdf
100A40VKNX3204AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features R =4m(typ.)@V =10VDS(ON),typ. GS Proprietary NewTrenchTechnology LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications DC-DCconverters DC-DCInverters Power Supply3. PinconfigurationPinPin PinTO-252 FunctionTO-220 DFN5*6T
knd3204a knb3204a knp3204a.pdf
100A40VKNX3204AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features R =4m(typ.)@V =10VDS(ON),typ. GS Proprietary NewTrenchTechnology LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications DC-DCconverters DC-DCInverters Power Supply3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drai
knd3208a knb3208a knp3208a knh3208a.pdf
100A85VKNX3208AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewTrenchTechnology R =6.5m@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications High efficiency DC/DCconverters Synchronous Rectification UPSInverter3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 D
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: WML18N50C4 | WML08N65C4
History: WML18N50C4 | WML08N65C4
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918