Справочник MOSFET. KND3302A

 

KND3302A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KND3302A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
   trⓘ - Время нарастания: 17.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для KND3302A

 

 

KND3302A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  kia
 knd3302a.pdf

KND3302A KND3302A

85A20VKNX3302AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KNX3302A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge andDS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or inother Switching applications.2. Features R =3.8m(typ.) @V =4.5VDS

 8.1. Size:283K  kia
 knd3306b knb3306b.pdf

KND3302A KND3302A

80A60VN-CHANNELMOSFET3306BKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features RDS(ON)=7m typ@VGS=10V Lead free and Green DeviceAvailable LowRds-onto Minimize ConductiveLoss High avalancheCurrent2. Application Power Supply DC-DCConverters3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source1 of 6 Rev1.0Sep.201780A60VN-CHANNELMOSFET3

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top