KNF4365A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KNF4365A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15.7 nC
trⓘ - Время нарастания: 14.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 58.7 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO220F
KNF4365A Datasheet (PDF)
knd4365a knf4365a.pdf
4A650VN-CHANNELMOSFET4365AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R ,typ.=2.0 @V =10V,I =2ADS(ON) GS D Fast Switching 100%avalanchetested Improveddv/dt capability2. Application High frequency switching mode power supply Uninterruptible Power Supply(UPS) Electronic ballast3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source
knd4360a knu4360a knp4360a knf4360a.pdf
4.0A600VN-CHANNELMOSFET4360AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =1.9(typ.)@V =10V, I 2ADS(ON) GS D= Fast switching 100% avalanchetested Improveddv/dt capability2. Application High frequency switching mode power supply Uninterruptible Power Supply(UPS) Electronic ballast3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Sour
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: STB120N4F6
History: STB120N4F6
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918