KNF7150A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KNF7150A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 76 ns
Выходная емкость (Cd): 255 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO220F
KNF7150A Datasheet (PDF)
knp7150a knf7150a.pdf
20A500VKNX7150AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewPlanar Technology R =0.24@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications Adaptor Charger SMPSPower Supply LCDPanel Power3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Dra
knp7150a knf7150a knh7150a.pdf
20A500VKNX7150AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewPlanar Technology R =0.24@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications Adaptor Charger SMPSPower Supply LCDPanel Power3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Dra
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
