KNF7150A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KNF7150A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 76 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO220F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
KNF7150A Datasheet (PDF)
knp7150a knf7150a.pdf

20A500VKNX7150AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewPlanar Technology R =0.24@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications Adaptor Charger SMPSPower Supply LCDPanel Power3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Dra
knp7150a knf7150a knh7150a.pdf

20A500VKNX7150AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewPlanar Technology R =0.24@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications Adaptor Charger SMPSPower Supply LCDPanel Power3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Dra
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: MCH3484 | DMN30H4D0L
History: MCH3484 | DMN30H4D0L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
j377 transistor datasheet | svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement