KNG3303A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KNG3303A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для KNG3303A
KNG3303A Datasheet (PDF)
kng3303a kny3303a.pdf

90A30VKNX3303AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSS1.DescriptionThis Power MOSFET is produced using KIA`s advanced planar stripe DMOS technology. Thisadvanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superiorswitching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation m
Другие MOSFET... KNF6140A , KNF6165A , KNF6165B , KNF6180A , KNF6450A , KNF6650A , KNF7150A , KNF7650A , IRF1010E , KNG3703A , JCS10N70CH , JCS10N70FH , JCS10N80F , JCS110N07 , JCS12N60BT , JCS12N60ST , JCS12N65BT .
History: TPU65R380C | AP9964GM | NP22N055SLE
History: TPU65R380C | AP9964GM | NP22N055SLE



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet