JCS10N80F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS10N80F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 235.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220MF

Аналог (замена) для JCS10N80F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS10N80F даташит

 ..1. Size:1202K  jilin sino
 jcs10n80f.pdf pdf_icon

JCS10N80F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 10A ID 800 V VDSS Rdson Vgs=10V 1.0 (Max) 71.6nC( Typ.) Qg APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate ch

 0.1. Size:953K  jilin sino
 jcs10n80fc jcs10n80gdc.pdf pdf_icon

JCS10N80F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 10A ID 800 V VDSS Rdson Vgs=10V 1.0 (Max) 71.6nC( Typ.) Qg APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate ch

 8.1. Size:830K  jilin sino
 jcs10n65f.pdf pdf_icon

JCS10N80F

 8.2. Size:1369K  jilin sino
 jcs10n60f jcs10n60c.pdf pdf_icon

JCS10N80F

R JCS10N60C JCS10N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 10 A VDSS 600 V Rdson-max 0.85 Vgs=10V Qg-Typ 51.5 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power supplies FEATURES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... KNF6450A, KNF6650A, KNF7150A, KNF7650A, KNG3303A, KNG3703A, JCS10N70CH, JCS10N70FH, AON6380, JCS110N07, JCS12N60BT, JCS12N60ST, JCS12N65BT, JCS12N65F, JCS12N65ST, JCS13N50BC, JCS13N50CC