JCS110N07 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS110N07

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO-220C TO-263

Аналог (замена) для JCS110N07

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS110N07 даташит

 ..1. Size:502K  jilin sino
 jcs110n07.pdf pdf_icon

JCS110N07

N N-CHANNEL MOSFET JCS110N07I Package MAIN CHARACTERISTICS 110A I D 70V VDSS Rdson-max 8m - (@Vgs=10V 72nC Qg-typ APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Aut

 0.1. Size:476K  jilin sino
 jcs110n07i.pdf pdf_icon

JCS110N07

N N-CHANNEL MOSFET JCS110N07I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 110A VDSS 70V Rdson-max - 8m (@Vgs=10V Qg-typ 72nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive app

 9.1. Size:1513K  jilin sino
 jcs11n90wt jcs11n90abt.pdf pdf_icon

JCS110N07

N R N-CHANNEL MOSFET JCS11N90T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 11 A VDSS 900 V Rdson-max 1.10 Vgs=10V Qg-typ 66nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

Другие IGBT... KNF6650A, KNF7150A, KNF7650A, KNG3303A, KNG3703A, JCS10N70CH, JCS10N70FH, JCS10N80F, IRF530, JCS12N60BT, JCS12N60ST, JCS12N65BT, JCS12N65F, JCS12N65ST, JCS13N50BC, JCS13N50CC, JCS13N50FC