JCS12N65BT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS12N65BT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 133 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для JCS12N65BT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS12N65BT даташит

 ..1. Size:1410K  jilin sino
 jcs12n65bt jcs12n65st jcs12n65ct jcs12n65ft.pdf pdf_icon

JCS12N65BT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12.0A VDSS 650 V Rdson-max 0.78 @Vgs=10V Qg-typ 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 5.1. Size:1489K  jilin sino
 jcs12n65fei jcs12n65bei jcs12n65sei jcs12n65cei.pdf pdf_icon

JCS12N65BT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12A VDSS 650V Rdson-max 0.9 Vgs=10V Qg-Typ 30nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

 6.1. Size:1140K  1
 jcs12n65t.pdf pdf_icon

JCS12N65BT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12 A VDSS 650 V Rdson @Vgs=10V 0.78 Qg 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA

 6.2. Size:543K  jilin sino
 jcs12n65f.pdf pdf_icon

JCS12N65BT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... KNG3303A, KNG3703A, JCS10N70CH, JCS10N70FH, JCS10N80F, JCS110N07, JCS12N60BT, JCS12N60ST, AON7506, JCS12N65F, JCS12N65ST, JCS13N50BC, JCS13N50CC, JCS13N50FC, JCS13N50SC, JCS1404C, JCS1404F