JCS12N65BT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JCS12N65BT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 133 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm
Тип корпуса: TO-262
Аналог (замена) для JCS12N65BT
JCS12N65BT Datasheet (PDF)
jcs12n65bt jcs12n65st jcs12n65ct jcs12n65ft.pdf

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12.0A VDSS 650 V Rdson-max 0.78 @Vgs=10V Qg-typ 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge
jcs12n65fei jcs12n65bei jcs12n65sei jcs12n65cei.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS12N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12A VDSS 650V Rdson-max 0.9 Vgs=10V Qg-Typ 30nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE
jcs12n65t.pdf

N RN-CHANNEL MOSFETJCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12 A VDSS 650 V Rdson@Vgs=10V 0.78 Qg 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA
jcs12n65f.pdf

N N- CHANNEL MOSFET RJCS12N65FC MAIN CHARACTERISTICS Package ID 12 A VDSS 650 V Rdson@Vgs=10V 0.52 Qg 30 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS
Другие MOSFET... KNG3303A , KNG3703A , JCS10N70CH , JCS10N70FH , JCS10N80F , JCS110N07 , JCS12N60BT , JCS12N60ST , 2N7002 , JCS12N65F , JCS12N65ST , JCS13N50BC , JCS13N50CC , JCS13N50FC , JCS13N50SC , JCS1404C , JCS1404F .
History: NP88N04NUG | NP88N055CLE | SPB80P06PG | RQ3E120GN | AM6968NH | HGA1K2N20ML | RQ3E120BN
History: NP88N04NUG | NP88N055CLE | SPB80P06PG | RQ3E120GN | AM6968NH | HGA1K2N20ML | RQ3E120BN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096