JCS13N50FC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS13N50FC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 145 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.49 Ohm

Тип корпуса: TO-220MF

Аналог (замена) для JCS13N50FC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS13N50FC даташит

 ..1. Size:1655K  jilin sino
 jcs13n50bc jcs13n50sc jcs13n50cc jcs13n50fc.pdf pdf_icon

JCS13N50FC

 5.1. Size:1016K  1
 jcs13n50ft.pdf pdf_icon

JCS13N50FC

N N- CHANNEL MOSFET R JCS13N50FT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.46 Qg-typ 37 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATUR

 5.2. Size:1016K  jilin sino
 jcs13n50ft.pdf pdf_icon

JCS13N50FC

N N- CHANNEL MOSFET R JCS13N50FT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.46 Qg-typ 37 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATUR

 8.1. Size:963K  jilin sino
 jcs13n90aba jcs13n90wa.pdf pdf_icon

JCS13N50FC

N R N-CHANNEL MOSFET JCS13N90A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13.0 A VDSS 900 V Rdson Vgs=10V 0.75 -MAX Qg-Typ 66.64 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JCS110N07, JCS12N60BT, JCS12N60ST, JCS12N65BT, JCS12N65F, JCS12N65ST, JCS13N50BC, JCS13N50CC, BS170, JCS13N50SC, JCS1404C, JCS1404F, JCS15N60BH, JCS15N60CH, JCS15N60FH, JCS15N60SH, JCS15N65FH