JCS1SN60TC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: JCS1SN60TC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
Тип корпуса: TO-92
Аналог (замена) для JCS1SN60TC
JCS1SN60TC Datasheet (PDF)
..1. Size:733K jilin sino
jcs1sn60tc jcs1sn60vc jcs1sn60rc.pdf
jcs1sn60tc jcs1sn60vc jcs1sn60rc.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET JCS1SN60C MAIN CHARACTERISTICS 0.6A TO-92 ID 1.2 A IPAK/DPKA Package VDSS 600 V Rdson-max 8.5 Vgs=10V Qg-typ 4.5nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918