JCS1SN60TC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: JCS1SN60TC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4.5 nC
Время нарастания (tr): 46 ns
Выходная емкость (Cd): 23 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 8.5 Ohm
Тип корпуса: TO-92
Аналог (замена) для JCS1SN60TC
JCS1SN60TC Datasheet (PDF)
..1. Size:733K jilin sino
jcs1sn60tc jcs1sn60vc jcs1sn60rc.pdf
jcs1sn60tc jcs1sn60vc jcs1sn60rc.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET JCS1SN60C MAIN CHARACTERISTICS 0.6A TO-92 ID 1.2 A IPAK/DPKA Package VDSS 600 V Rdson-max 8.5 Vgs=10V Qg-typ 4.5nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
