JCS1SN60TC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JCS1SN60TC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
Тип корпуса: TO-92
Аналог (замена) для JCS1SN60TC
JCS1SN60TC Datasheet (PDF)
jcs1sn60tc jcs1sn60vc jcs1sn60rc.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS1SN60C MAIN CHARACTERISTICS 0.6A TO-92 ID 1.2 A IPAK/DPKA Package VDSS 600 V Rdson-max 8.5 Vgs=10V Qg-typ 4.5nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge
Другие MOSFET... JCS15N70C , JCS15N70F , JCS160N08 , JCS160N08I , JCS19N20C , JCS19N20F , JCS1N70TC , JCS1SN60RC , IRFB31N20D , JCS1SN60VC , JCS20N60FH , JCS20N65FH , JCS20N65WH , JCS2N60CB , JCS2N60FB , JCS2N60MB , JCS2N60MF .
History: IXTP1R4N100P | AM30N15-60D | IXTT100N25P | NP84N055NLE | IXTP1R4N120P | NP84N075CUE | FDP8876
History: IXTP1R4N100P | AM30N15-60D | IXTT100N25P | NP84N055NLE | IXTP1R4N120P | NP84N075CUE | FDP8876



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP70P03DF | AP70P03D | AP70P02D | AP70N12NF | AP70N12D | AP70N06HD | AP70N04NF | AP70N03NF | AP70N02NF | AP70N02DF | AP6P06MI | AP6P03SI | AP6N40D | AP6N12MI | AP6N10MI | AP5N10SI
Popular searches
sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet