JCS2N60MF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS2N60MF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 139 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO-126F

Аналог (замена) для JCS2N60MF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS2N60MF даташит

 ..1. Size:1742K  jilin sino
 jcs2n60t jcs2n60mf jcs2n60v jcs2n60r jcs2n60c jcs2n60f.pdf pdf_icon

JCS2N60MF

R JCS2N60C JCS2N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson-max 5.0 Vgs=10V Qg-typ 8.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power supplie FEATURES

 ..2. Size:975K  jilin sino
 jcs2n60t jcs2n60mf jcs2n60v jcs2n60r jcs2n60n jcs2n60c jcs2n60f.pdf pdf_icon

JCS2N60MF

 0.1. Size:924K  jilin sino
 jcs2n60vb jcs2n60rb jcs2n60cb jcs2n60fb jcs2n60mb jcs2n60mfb.pdf pdf_icon

JCS2N60MF

N R N-CHANNEL MOSFET JCS2N60B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson Vgs=10V 4.5 -MAX Qg-TYP 5.9nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 0.2. Size:572K  jilin sino
 jcs2n60mb jcs2n60mfb.pdf pdf_icon

JCS2N60MF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JCS1SN60TC, JCS1SN60VC, JCS20N60FH, JCS20N65FH, JCS20N65WH, JCS2N60CB, JCS2N60FB, JCS2N60MB, IRFZ48N, JCS2N60MFB, JCS2N60RB, JCS2N60T, JCS2N60VB, JCS2N65C, JCS2N65CB, JCS2N65F, JCS2N65FB