JCS3AN150BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS3AN150BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 368 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 127 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для JCS3AN150BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS3AN150BA даташит

 ..1. Size:667K  jilin sino
 jcs3an150ca jcs3an150fa jcs3an150aa jcs3an150wa jcs3an150sa jcs3an150ba.pdf pdf_icon

JCS3AN150BA

N N-CHANNEL MOSFET R JCS3AN150A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 3 A VDSS 1500 V Rdson-max 8.0 @Vgs=10V Qg-typ 37nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies TO-262 UPS Electronic lamp ballasts based on half bridge

Другие IGBT... JCS2N70CH, JCS2N70FH, JCS2N70MFH, JCS2N70RH, JCS2N70VH, JCS3910C, JCS3910F, JCS3AN150AA, IRF540, JCS3AN150CA, JCS3AN150FA, JCS3AN150SA, JCS3AN150WA, JCS4N60SB, JCS4N65B, JCS4N65BB, JCS4N65CB