JCS4N80B datasheet, аналоги, параметры транзистора

JCS4N80B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS4N80B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 99.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для JCS4N80B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

JCS4N80B даташит

..1. Size:3308K jilin sino
jcs4n80v jcs4n80r jcs4n80f jcs4n80c jcs4n80b jcs4n80s.pdf pdf_icon

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 4A ID 800 V VDSS Rdson-max 2.6 @Vgs=10V Qg-typ 29.5nC APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate charge

..2. Size:1170K jilin sino
jcs4n80v jcs4n80r jcs4n80f jcs4n80c jcs4n80b.pdf pdf_icon

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 4A ID 800 V VDSS Rdson-max 2.6 @Vgs=10V Qg-typ 29.5nC APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate charge

..3. Size:1385K jilin sino
jcs4n80v jcs4n80r jcs4n80f jcs4n80c jcs4n80s jcs4n80b.pdf pdf_icon

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 4A ID 800 V VDSS Rdson-max 2.6 @Vgs=10V Qg-typ 29.5nC APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate charge

7.1. Size:1321K jilin sino
jcs4n80ch jcs4n80fh.pdf pdf_icon

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N80H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4 A VDSS 800 V Rdson-max 2.5 @Vgs=10V Qg-typ 14nC APPLICATIONS High frequency switch mode power supply Electronic ballasts LED LED power supply