JCS4N90FH datasheet, аналоги, параметры транзистора

JCS4N90FH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS4N90FH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220MF

Аналог (замена) для JCS4N90FH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

JCS4N90FH даташит

..1. Size:1046K jilin sino
jcs4n90fh jcs4n90rh jcs4n90vh.pdf pdf_icon

N R N-CHANNEL MOSFET CS J 4N90H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4 4 4A VDSS 900 V Rdson_max 5.5 Vgs=10V Qg-typ 7 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

6.1. Size:1165K jilin sino
jcs4n90va jcs4n90ra jcs4n90sa jcs4n90fa jcs4n90ca.pdf pdf_icon

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N90A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 900 V Rdson Vgs=10V 3.3 -MAX Qg-Typ 14.7nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power suppli

9.1. Size:1019K 1
jcs4n60vb jcs4n60rb jcs4n60bb jcs4n60cb jcs4n60fb.pdf pdf_icon

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60B Package MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS Rdson Vgs=10V 2.4 13.3nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

9.2. Size:1045K jilin sino
jcs4n60vb jcs4n60rb jcs4n60bb jcs4n60sb jcs4n60cb jcs4n60fb.pdf pdf_icon

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60B Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 600 V 2.4 Rdson Vgs=10V Qg 18.1nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power su