JCS50N06VH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS50N06VH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для JCS50N06VH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS50N06VH даташит

 ..1. Size:1911K  jilin sino
 jcs50n06vh jcs50n06rh jcs50n06ch jcs50n06fh.pdf pdf_icon

JCS50N06VH

N R N-CHANNEL MOSFET JCS50N06H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 50 A VDSS 60 V Rdson-max 23 m @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS High frequency switch UPS mode power supplies UPS FEATURES Low gate charge

 8.1. Size:1386K  jilin sino
 jcs50n20wt jcs50n20abt.pdf pdf_icon

JCS50N06VH

Другие IGBT... JCS4N80S, JCS4N80V, JCS4N90FH, JCS4N90RH, JCS4N90VH, JCS50N06CH, JCS50N06FH, JCS50N06RH, K4145, JCS50N20ABT, JCS50N20WT, JCS540BT, JCS540CT, JCS540FT, JCS540ST, JCS540WT, JCS5N50CC