Справочник MOSFET. JCS50N06VH

 

JCS50N06VH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS50N06VH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для JCS50N06VH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS50N06VH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1911K  jilin sino
 jcs50n06vh jcs50n06rh jcs50n06ch jcs50n06fh.pdf pdf_icon

JCS50N06VH

N RN-CHANNEL MOSFET JCS50N06H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 50 A VDSS 60 V Rdson-max 23 m @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS High frequency switch UPS mode power supplies UPS FEATURES Low gate charge

 8.1. Size:1386K  jilin sino
 jcs50n20wt jcs50n20abt.pdf pdf_icon

JCS50N06VH

R JCS50N20T JCS50N20T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 50A VDSS 200 V Rdson-max 50m @Vgs=10V Qg-typ 90nC APPLICATIONS High frequency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEATURES

Другие MOSFET... JCS4N80S , JCS4N80V , JCS4N90FH , JCS4N90RH , JCS4N90VH , JCS50N06CH , JCS50N06FH , JCS50N06RH , IRFB3607 , JCS50N20ABT , JCS50N20WT , JCS540BT , JCS540CT , JCS540FT , JCS540ST , JCS540WT , JCS5N50CC .

History: PJU4NA65 | BTS140A | 4N70G-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.